Оптически накачиваемые лазеры на эпитаксиальных слоях GaN и гетероструктурах с квантовыми ямами InGaN/GaN на подложках Si(III): диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: 01.04.21: защищена 15.06.10: утверждена 29.09.10 / Зубелевич Виталий Зигмундович
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Зубелевич, В. З. (род. 1978) |
| Опубликовано: | Минск , 2010 |
| Физические характеристики: |
142 л. : ил.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: | |
| Е-документ: |
E-документ
|
Зал диссертаций
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Без заказа | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||