Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: 01.04.10 / Карташова Анна Петровна
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Карташова, А. П. |
| Опубликовано: | Санкт-Петербург , 2010 |
| Физические характеристики: |
19 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||