|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000561013 |
| 005 |
20101012102306.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20101004d2010 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e 01.04.10
$f Карташова Анна Петровна
$g Учреждение Российской академии наук "Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе" РАН, Балтийский государственный технический университет "ВОЕНМЕХ" им. Д. Ф. Устинова]
|
| 210 |
# |
# |
$a Санкт-Петербург
$d 2010
|
| 215 |
# |
# |
$a 19 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 18—19
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar56130
$a НИТРИДЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1773258
$a НИТРИД ИНДИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3251604
$a НИТРИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2665900
$a НАНОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar53708
$a РЕКОМБИНАЦИЯ (физ., хим.)
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2185522
$a ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.22
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.03
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$a Карташова
$b А. П.
$g Анна Петровна
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20101004
$g psbo
|
