Разработка и исследование технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: 05.27.01 / Рыжук Роман Валерьевич

Сохранено в:
Шифр документа: 2//92321(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Рыжук, Р. В.
Опубликовано: Таганрог , 2010
Физические характеристики: 19 с. : ил.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a2200000 ia4500
001 BY-NLB-br0000551636
005 20101018090637.0
100 # # $a 20100916d2010 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a a m 000yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Разработка и исследование технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук  $e 05.27.01  $f Рыжук Роман Валерьевич  $g [Технологический институт Южного федерального университета] 
210 # # $a Таганрог  $d 2010 
215 # # $a 19 с.  $c ил. 
320 # # $a Библиография: с. 17—19 (11 назв.) 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24596  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar15092  $a КРЕМНИЕВЫЕ СТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2379856  $a КРЕМНИЕВЫЕ ДИОДЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2187791  $a КАРБИД КРЕМНИЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar12158  $a ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar33914  $a ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ РЕЖИМЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2644439  $a ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1599505  $a УДЕЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1666924  $a ПРОБИВНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2143210  $a ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ КОНТАКТЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar33290  $a ТЕМПЕРАТУРНЫЙ РЕЖИМ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2694522  $a ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ  $2 DVNLB 
686 # # $a 05.27.01  $2 oksvnk 
686 # # $a 47.33.29  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 47.13.11  $2 rugasnti  $v 6 
700 # 1 $a Рыжук  $b Р. В.  $g Роман Валерьевич 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20100916  $g psbo