|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000436602 |
| 005 |
20210531115736.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20091229d2009 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Реконструкции поверхности GaAs(001) и их влияние на морфологию слоев при МЛЭ и вакуумном отжиге
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e 01.04.10
$f Васев Андрей Васильевич
$g [Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН]
|
| 210 |
# |
# |
$a Новосибирск
$d 2009
|
| 215 |
# |
# |
$a 18 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 16—18
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24594
$a ПОЛУПРОВОДНИКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3170564
$a МНОГОСЛОЙНЫЕ СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2282245
$a МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar6882
$a АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24113
$a ПОДЛОЖКИ (электроника)
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar23914
$a ПОВЕРХНОСТНЫЙ СЛОЙ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar14004039
$a ВАКУУМНЫЙ ОТЖИГ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.16
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.03
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$a Васев
$b А. В.
$g Андрей Васильевич
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20091229
$g psbo
|
