|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000422050 |
| 005 |
20091201131821.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20091120d2009 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a y m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Высокотемпературные приборы на основе фосфида галлия: эпитаксиальная технология, концепция легирования, электрические свойства
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e 01.04.10
$f Панютин Евгений Анатольевич
$g [Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН]
|
| 210 |
# |
# |
$a Санкт-Петербург
$d 2009
|
| 215 |
# |
# |
$a 22 с.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 21—22 (14 назв.)
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24594
$a ПОЛУПРОВОДНИКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2398267
$a ФОСФИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar12158
$a ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39284
$a ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24592
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.23
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.14.07
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$a Панютин
$b Е. А.
$g Евгений Анатольевич
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20091120
$g psbo
|
