|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000390313 |
| 005 |
20090911155628.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20090828d2009 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Нелинейные транспортные эффекты в селективно легированных гетероэпитаксиальных микроструктурах металл-полупроводник
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
$e 01.04.10
$f Шашкин Владимир Иванович
$g [Учреждение Российской академии наук Институт физики микроструктур РАН]
|
| 210 |
# |
# |
$a Нижний Новгород
$d 2009
|
| 215 |
# |
# |
$a 38 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 26—38
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar7368
$a ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24596
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24602
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39622
$a ЭПИТАКСИЯ (физ.)
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar78733
$a НАНОКЛАСТЕРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar83769
$a ГАЗОФАЗНОЕ ОСАЖДЕНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3275927
$a ГАЗОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.22
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$2 rugasnti
$v 6
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-1427316
$a Шашкин
$b В. И.
$g Владимир Иванович
$c доктор физико-математических наук
$f род. 1959
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20090828
$g psbo
|
