Исследование зарождения и роста нанокластеров при молекулярно-пучковой эпитаксии в системах SiC/Si, Ge/Si, InAs/GaAs методом компьютерного моделирования: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: 01.04.07 / Сафонов Кирилл Леонидович
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Сафонов, К. Л. |
| Опубликовано: | Санкт-Петербург , 2008 |
| Физические характеристики: |
17 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||