|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000272439 |
| 005 |
20090128091705.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20090115d2008 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Полупроводниковые микроструктуры на основе соединений AIIIBV, полученные методом реактивного ионного травления
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e 01.04.10
$f Аракчеева Екатерина Михайловна
$g [Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. Иоффе РАН]
|
| 210 |
# |
# |
$a Санкт-Петербург
$d 2008
|
| 215 |
# |
# |
$a 23 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 19—23
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24594
$a ПОЛУПРОВОДНИКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar7368
$a ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2665900
$a НАНОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2451365
$a ИОННОЕ ТРАВЛЕНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar21873
$a ОПТОЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.22
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.48
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$a Аракчеева
$b Е. М.
$g Екатерина Михайловна
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20090115
$g psbo
|
