|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000191050 |
| 005 |
20080702134738.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20080613d2008 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Вклады поверхностных и объемных состояний в фотоэмиссии электронов из р+-СаАs(Cs,O) и p-GaN(Cs,O)
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e 01.04.10
$f Пахневич Андрей Александрович
$g [Институт физики полупроводников СО РАН]
|
| 210 |
# |
# |
$a Новосибирск
$d 2008
|
| 215 |
# |
# |
$a 18 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 17-18
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar23916
$a ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2791734
$a СРОДСТВО К ЭЛЕКТРОНУ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar36466
$a ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar82987
$a ЗАПРЕЩЕННАЯ ЗОНА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
$v 5
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.35.37
$2 rugasnti
$v 5
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$a Пахневич
$b А. А.
$g Андрей Александрович
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20080613
$g psbo
|
