Радиационностойкие сенсоры магнитного поля на основе полупроводников A3B5 для условий жесткого излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук: 05.27.01 / Большакова Инесса Антоновна

Сохранено в:
Шифр документа: 2//19734К(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Большакова, И. А.
Опубликовано: Львов , 2007
Физические характеристики: 32 с. : ил.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a2200000 ia4500
001 BY-NLB-br0000083221
005 20070913161021.0
100 # # $a 20070830d2007 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus  $d eng  $d ukr  $d rus 
102 # # $a UA 
105 # # $a a m 000yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Радиационностойкие сенсоры магнитного поля на основе полупроводников A3B5 для условий жесткого излучения  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук  $e 05.27.01  $f Большакова Инесса Антоновна  $g Национальный университет "Львовская политехника" 
210 # # $a Львов  $d 2007 
215 # # $a 32 с.  $c ил. 
300 # # $a Резюме на русском, английском, украинском языках 
320 # # $a Библиография: с. 24-30 (68 назв.) 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24594  $a ПОЛУПРОВОДНИКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24588  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar16855  $a МАГНИТНЫЕ ПОЛЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar26875  $a РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar29806  $a ХИМИЧЕСКИЕ СЕНСОРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar20176  $a НЕЙТРОННОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ  $2 DVNLB 
686 # # $a 05.27.01  $2 nsukr 
686 # # $a 47.33  $2 rugasnti  $v 5 
686 # # $a 47.09.29  $2 rugasnti  $v 5 
686 # # $a 29.19.31  $2 rugasnti  $v 5 
700 # 1 $3 BY-NLB-ar2703273  $a Большакова  $b И. А.  $g Инесса Антоновна 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070830  $g psbo