Атомная структура поверхности GaAs(001)-4×2 при малой степени покрытия йодом: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: 01.04.07 / Веденеев Александр Александрович

Сохранено в:
Шифр документа: 2//9972(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Веденеев, А. А.
Опубликовано: Москва , 2007
Физические характеристики: 26 с. : ил.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a2200000 ia4500
001 BY-NLB-br0000037016
005 20070615153321.0
100 # # $a 20070402d2007 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a a m 000yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Атомная структура поверхности GaAs(001)-4×2 при малой степени покрытия йодом  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  $e 01.04.07  $f Веденеев Александр Александрович  $g Российская академия наук, Институт общей физики им. А. М. Прохорова 
210 # # $a Москва  $d 2007 
215 # # $a 26 с.  $c ил. 
320 # # $a Библиография: с. 24-26 
606 0 # $3 BY-NLB-ar83953  $a КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2333145  $a АТОМНЫЕ СТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar12530  $a ЙОД  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1883  $a АДСОРБЦИЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar23916  $a ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ  $2 DVNLB 
686 # # $a 29.19.16  $2 rugasnti  $v 5 
686 # # $a 29.19.03  $2 rugasnti  $v 5 
686 # # $a 29.19.04  $2 rugasnti  $v 5 
686 # # $a 01.04.07  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-146113  $a Веденеев  $b А. А.  $g Александр Александрович 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070402  $g psbo