|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
001 |
BY-NLB-br0000029928 |
005 |
20070615153256.1 |
100 |
# |
# |
$a 20070315d2007 k y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
200 |
1 |
# |
$a Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e 01.04.10
$f Торхов Николай Анатольевич
$g [НИИ полупроводниковых приборов, г. Томск]
|
210 |
# |
# |
$a Томск
$d 2007
|
215 |
# |
# |
$a 18 с.
$c ил.
|
320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 17-18
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24594
$a ПОЛУПРОВОДНИКИ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar55091
$a АТОМАРНЫЙ ВОДОРОД
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar6882
$a АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar38189
$a ШОТТКИ БАРЬЕРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar38854
$a ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
$v 5
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.23
$2 rugasnti
$v 5
|
686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-144585
$a Торхов
$b Н. А.
$g Николай Анатольевич
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070315
$g psbo
|