Формирование тонкопленочных слоев с высокой диэлектрической проницаемостью на основе сложных оксидов реактивным магнетронным распылением: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники / Доан Тхе Хоанг

Сохранено в:
Шифр документа: 2Н//254435(039), 2Н//254436(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Доан Тхе Хоанг
Опубликовано: Минск , 2023
Физические характеристики: 21 с. : ил., схемы
Язык: Русский
Предмет:
Е-документ: E-документ
00000cam0a2200000 ia4500
001 BY-CNB-br5716421
005 20240328162405.0
100 # # $a 20230919d2023 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus  $d bel  $d rus  $d eng 
102 # # $a BY 
105 # # $a a m 000yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Формирование тонкопленочных слоев с высокой диэлектрической проницаемостью на основе сложных оксидов реактивным магнетронным распылением  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук  $e специальность 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники  $f Доан Тхе Хоанг  $g Учреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники" 
210 # # $a Минск  $d 2023 
215 # # $a 21 с.  $c ил., схемы 
300 # # $a Резюме параллельно на белорусском, русском, английском языках 
311 # # $a В фонде НББ имеется диссертация 
320 # # $a Библиография: с. 17—18 (13 назв.) 
488 # 1 $1 001BY-NLB-br0001898205 
517 1 # $a Формирование тонкоплёночных слоёв с высокой диэлектрической проницаемостью на основе сложных оксидов реактивным магнетронным распылением 
606 0 # $3 BY-NLB-ar11906  $a ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar64055  $a МОП-СТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar33870  $a ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА  $2 DVNLB 
606 # # $3 BY-NLB-ar34171  $a ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ  $2 DVNLB 
606 # # $3 BY-NLB-ar34161  $a ТОНКИЕ ПЛЕНКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1756760  $a ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ  $2 DVNLB 
606 # # $3 BY-NLB-ar1670946  $a СЛОЖНЫЕ ОКСИДЫ  $2 DVNLB 
606 # # $3 BY-NLB-ar9573  $a ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ  $2 DVNLB 
606 # # $3 BY-NLB-ar19558  $a НАНЕСЕНИЕ ПОКРЫТИЙ  $2 DVNLB 
606 # # $3 BY-NLB-ar4777100  $a МАГНЕТРОННОЕ РАСПЫЛЕНИЕ  $2 DVNLB 
606 # # $3 BY-NLB-ar15827  $a ЛЕГИРОВАНИЕ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2644768  $a ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ  $2 DVNLB 
606 # # $3 BY-NLB-ar39284  $a ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА  $2 DVNLB 
615 # # $a Белорусский национальный документ 
675 # # $a 621.382.049.77-027.3:621.793.7(043.3)  $v 4  $z rus 
686 # # $a 47.13.11  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 47.13.33  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 47.09.31  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 55.22.23  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 55.20.15  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 05.27.06  $2 nsnrrb 
700 # 0 $3 BY-CNB-ar2722762  $a Доан Тхе Хоанг  $c кандидат технических наук  $c микроэлектроника 
712 0 2 $3 BY-NLB-ar186905  $a Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники  $c Минск  $4 595  $4 995 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0005  $c 20230921  $g RCR 
830 # # $a 19.10.2023 
856 4 # $u http://dep.nlb.by/jspui/bitstream/nlb/58323/2/default.htm