Принцип действия многослойных полупроводниковых структур / МВ и ССО УССР. Киевский ордена Ленина политехн. ин-т им. 50-летия Великой Октябрьской соц. революции. Кафедра пром. электроники
Сохранено в:
Показ/скрытие дополнительной информации.
| Автор: | Руденко, В. С. |
|---|---|
| Другие авторы/ответственные: | Платонов, А. П. |
| Вид документа: | |
| Опубликовано: | Киев , 1969- |
| Язык: | Русский |
| 00000nam1a22000001ib4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr29701760000 | ||
| 005 | 20070608162850.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070608f1969 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Принцип действия многослойных полупроводниковых структур $f МВ и ССО УССР. Киевский ордена Ленина политехн. ин-т им. 50-летия Великой Октябрьской соц. революции. Кафедра пром. электроники |
| 210 | # | # | $a Киев $d 1969- |
| 215 | # | # | $d 20 см |
| 700 | # | 1 | $a Руденко $b В. С. |
| 701 | # | 1 | $a Платонов $b А. П. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070608 $g psbo |