Методы измерения параметров полупроводников: Процессы, обусловленные равновесной концетрацией носителей заряда / Моск. ордена Трудового Красного Знамени ин-т стали и сплавов. Кафедра материаловедения полупроводников
Сохранено в:
Показ/скрытие дополнительной информации.
| Автор: | Потапов, Ю. В. |
|---|---|
| Вид документа: | |
| Опубликовано: | М. , 1970 |
| Язык: | Русский |
| 00000nam1a22000001ib4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr28792220000 | ||
| 005 | 20070529183647.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070529d1970 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Методы измерения параметров полупроводников $e Процессы, обусловленные равновесной концетрацией носителей заряда $f Моск. ордена Трудового Красного Знамени ин-т стали и сплавов. Кафедра материаловедения полупроводников $g Под ред. Горелика С. С. |
| 210 | # | # | $a М. $d 1970 |
| 700 | # | 1 | $a Потапов $b Ю. В. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070529 $g psbo |