Технология получения InGaAs/InP эпитаксиальных гетероструктур для активных элементов интегральных схем [[Микроформа]]: Дис. ... канд. техн. наук: (05.27.05)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Снигур, А. П. |
| Опубликовано: | Кишинев , 1991 |
| Физические характеристики: |
235 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||