Радиационные дефектообразования в широкозонных полупроводниках A³B5 и гетероструктурах на их основе: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН УССР, Ин-т полупроводников
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Брайловский, Е. Ю. |
| Опубликовано: | Киев , 1986 |
| Физические характеристики: |
30 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr37900610000 | ||
| 005 | 20220302111746.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070831d1986 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Радиационные дефектообразования в широкозонных полупроводниках A³B5 и гетероструктурах на их основе $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f АН УССР, Ин-т полупроводников |
| 210 | # | # | $a Киев $d 1986 |
| 215 | # | # | $a 30 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 26-30 (50 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Брайловский $b Е. Ю. $g Евгений Юльевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070831 $g psbo |