Радиационные дефектообразования в широкозонных полупроводниках A³B5 и гетероструктурах на их основе: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН УССР, Ин-т полупроводников
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Брайловский, Е. Ю. |
| Опубликовано: | Киев , 1986 |
| Физические характеристики: |
30 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||