Исследования дефектов кристаллической структуры, возникающих в полупроводниках при технологических воздействиях, методами амплитудно-фазового электронно-микроскопического контраста: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Моск. ин-т электронной техники

Сохранено в:
Шифр документа: 1561/86СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Боргардт, Н. И.
Опубликовано: М. , 1984
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr37756290000
005 20070831110324.0
100 # # $a 20070831d1984 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Исследования дефектов кристаллической структуры, возникающих в полупроводниках при технологических воздействиях, методами амплитудно-фазового электронно-микроскопического контраста  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f Моск. ин-т электронной техники 
210 # # $a М.  $d 1984 
300 # # $a Библиогр.: с. 15-17 (13 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Боргардт  $b Н. И.  $g Николай Иванович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070831  $g psbo