Закономерности эволюции неупорядоченных полупроводников и технология элементов памяти на основе а-Si: H: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Моск. ин-т электрон. техники
Gespeichert in:
| Format: | |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Бодягин, Н. В. |
| Veröffentlicht: | М. , 1990 |
| Beschreibung: |
28 с.
|
| Sprache: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Verfügbar Bestellen | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||