Образование дефектов на кремниевых пластинах в процессе их эпитаксиального выращивания
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Бидерман, Э. |
| Опубликовано: | М. : ЦНИИ техн.-экон. исследований и науч. информации , 1967 |
| Физические характеристики: |
8 с.
|
| Язык: | Русский |
| Серия: |
Переводы иностр. литературы. Серия "Полупроводниковые приборы и микроэлектроника"
Перевод № 79/ЭТ-2069 |
| 00000nam0a22000001ib4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr37428900000 | ||
| 005 | 20070830153951.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070830d1967 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Образование дефектов на кремниевых пластинах в процессе их эпитаксиального выращивания |
| 210 | # | # | $a М. $c ЦНИИ техн.-экон. исследований и науч. информации $d 1967 |
| 215 | # | # | $a 8 с. |
| 225 | 2 | # | $a Переводы иностр. литературы. Серия "Полупроводниковые приборы и микроэлектроника" $f М-во электронной пром-сти СССР $v Перевод № 79/ЭТ-2069 |
| 300 | # | # | $a На обл. авт. не указан |
| 675 | # | # | $a 539.293 |
| 700 | # | 1 | $a Бидерман $b Э. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070830 $g psbo |