Гетерогенные реакции в процессах травления материалов микроэлектроники Si, Ge и SiO₂: (02.00.04): Дис. на соиск. учен. степ. д-ра хим. наук в форме науч. докл. / АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т неорган. химии
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Бакланов, М. Р. |
| Опубликовано: | Новосибирск , 1991 |
| Физические характеристики: |
47 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr36728570000 | ||
| 005 | 20070828153242.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [91-13363а] |
| 100 | # | # | $a 20070828d1991 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Гетерогенные реакции в процессах травления материалов микроэлектроники Si, Ge и SiO₂ $e (02.00.04) $e Дис. на соиск. учен. степ. д-ра хим. наук в форме науч. докл. $f АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т неорган. химии |
| 210 | # | # | $a Новосибирск $d 1991 |
| 215 | # | # | $a 47 с. $c ил. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 44-47 |
| 686 | # | # | $a 02.00.04 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Бакланов $b М. Р. $g Михаил Родионович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070828 $g psbo |