Численное моделирование газофазных реакций в СВЧ-плазме пониженного давления O₂+ SiCl₄ при осаждении SiO₂

Сохранено в:
Шифр документа: 111214,
Вид документа: Книги
Автор: Александров, Д. И.
Опубликовано: М. , 1986
Физические характеристики: 36 с. : рис.
Язык: Русский
Серия: Препр. № 66
Предмет:
00000cam0a22000001ib4500
001 BY-NLB-rr35850180000
005 20190121110133.7
010 # # $d Б. ц. 
021 # # $a RU  $b [86-34583] 
100 # # $a 20070808d1986 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Численное моделирование газофазных реакций в СВЧ-плазме пониженного давления O₂+ SiCl₄ при осаждении SiO₂ 
210 # # $a М.  $d 1986 
215 # # $a 36 с.  $c рис. 
225 2 # $a Препр.  $f АН СССР. Ин-т общ. химии  $v № 66 
300 # # $a Библиогр.: с. 29-32 (58 назв.) 
345 # # $9 100 экз. 
606 0 # $3 BY-NLB-ar36799  $a ХИМИЧЕСКАЯ КИНЕТИКА  $2 DVNLB 
610 0 # $a Плазма (физ.) низкотемпературная 
675 # # $a 533.915 
700 # 1 $a Александров  $b Д. И. 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070808  $g psbo