Разработка технологии получения и исследование фотоэлектрических свойств униполярных трензисторных структур на основе GaP-AlGaAs: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН УзССР, Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева
Zapisane w:
| Format: | |
|---|---|
| 1. autor: | Абдукадыров, М. А. |
| Wydane: | Ташкент , 1986 |
| Opis fizyczny: |
16 с.
|
| Język: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Dostępne Zamów | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||