Применение ижекционных лазеров на основе Ga**lAs/GaAs для записи цифровой информации на фиксирующей среде / АН СССР, Физ. ин-т им. П. Н. Лебедева. Лаб. Оптоэлектроники
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Елисеев, П. Г. |
| Опубликовано: | М. , 1986 |
| Физические характеристики: |
33 с.
|
| Язык: | Русский |
| Серия: |
Квантовая радиофизика: Препр.
80 |
| Предмет: |
| 00000cam0a22000001ib4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr35232860000 | ||
| 005 | 20160909095312.0 | ||
| 010 | # | # | $d Б. ц. |
| 021 | # | # | $a RU $b [86-40284] |
| 100 | # | # | $a 20070807d1986 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Применение ижекционных лазеров на основе Ga**lAs/GaAs для записи цифровой информации на фиксирующей среде $f АН СССР, Физ. ин-т им. П. Н. Лебедева. Лаб. Оптоэлектроники |
| 210 | # | # | $a М. $d 1986 |
| 215 | # | # | $a 33 с. |
| 225 | 2 | # | $a Квантовая радиофизика: Препр. $v 80 |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 33 (18 назв.) |
| 345 | # | # | $9 100 экз. |
| 610 | 0 | # | $a Генераторы квантовые |
| 610 | 0 | # | $a Информация |
| 675 | # | # | $a 621.373.826 |
| 700 | # | 1 | $a Елисеев $b П. Г. |
| 701 | # | 1 | $a Фам Ван Хой |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070807 $g psbo |