Применение ижекционных лазеров на основе Ga**lAs/GaAs для записи цифровой информации на фиксирующей среде / АН СССР, Физ. ин-т им. П. Н. Лебедева. Лаб. Оптоэлектроники
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Елисеев, П. Г. |
| Опубликовано: | М. , 1986 |
| Физические характеристики: |
33 с.
|
| Язык: | Русский |
| Серия: |
Квантовая радиофизика: Препр.
80 |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||