|
|
|
|
|
00000nam0a22000001ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr34359510000 |
| 005 |
20070727173853.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20070727d1984 y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a UZ
|
| 200 |
1 |
# |
$a Исследование условий роста и свойств эпитаксиальных слоев Si, Si{н.инд.}(1-x)Ge{н.инд.}(x), GaP и GaAs, выращенных на Si из жидкой фазы
$e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
$e (01.04.10)
$f АН УзССР, Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева
|
| 210 |
# |
# |
$a Ташкент
$d 1984
|
| 215 |
# |
# |
$a 21 с.
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 19-21 (18 назв.). Для служеб. пользования
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$a Дадамухамедов
$b С.
$g Суннатулла
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070727
$g psbo
|
