
Исследование условий роста и свойств эпитаксиальных слоев Si, Si{н.инд.}(1-x)Ge{н.инд.}(x), GaP и GaAs, выращенных на Si из жидкой фазы: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН УзССР, Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева
Сохранено в:
格式: | |
---|---|
主要作者: | Дадамухамедов, С. |
出版: | Ташкент , 1984 |
實物描述: |
21 с.
|
語言: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | 可用 預訂 | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|