Изучение процессов формирования барьерных структур на основе Рв{н.инд.}(1-x)Sn{н.инд.}(x)Te и исследование их электрических и фотоэлектрических характеристик: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Ленингр. электротехн. ин-т им. В. И. Ульянова (Ленина)

Сохранено в:
Шифр документа: 95491/89,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Гришина, Т. А.
Опубликовано: Л. , 1989
Физические характеристики: 12 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr34049400000
005 20070727152050.0
021 # # $a RU  $b [89-5846а] 
100 # # $a 20070727d1989 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Изучение процессов формирования барьерных структур на основе Рв{н.инд.}(1-x)Sn{н.инд.}(x)Te и исследование их электрических и фотоэлектрических характеристик  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $f Ленингр. электротехн. ин-т им. В. И. Ульянова (Ленина) 
210 # # $a Л.  $d 1989 
215 # # $a 12 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 11-12 (14 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Гришина  $b Т. А.  $g Татьяна Александровна 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070727  $g psbo