Изучение процессов формирования барьерных структур на основе Рв{н.инд.}(1-x)Sn{н.инд.}(x)Te и исследование их электрических и фотоэлектрических характеристик: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Ленингр. электротехн. ин-т им. В. И. Ульянова (Ленина)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Гришина, Т. А. |
| Опубликовано: | Л. , 1989 |
| Физические характеристики: |
12 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||