Получение и исследование электрофизических свойств новых сложных полупроводниковых халькогенидов типа A²B³C⁶₂, A³B³₂C³X⁶₄, A³B³C³X⁶₃, A¹B²C³X⁶₃: Автореф. дис. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук: (049) / АН АзССР. Физический ин-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Годжаев, Э. М. |
| Опубликовано: | Баку , 1972 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||