Влияние имплантации ионов кремния и селена на состав, структуру и электрофизические характеристики полуизолирующего арсенида галлия: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (02.00.04) / Моск. ин-т тон. хим. технологии им. М. В. Ломоносова

Сохранено в:
Шифр документа: 112654/90СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Ушаков, Б. В.
Опубликовано: М. , 1990
Физические характеристики: 24 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr32691700000
005 20070716151741.0
100 # # $a 20070716d1990 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Влияние имплантации ионов кремния и селена на состав, структуру и электрофизические характеристики полуизолирующего арсенида галлия  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (02.00.04)  $f Моск. ин-т тон. хим. технологии им. М. В. Ломоносова 
210 # # $a М.  $d 1990 
215 # # $a 24 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 23-24 (10 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 02.00.04  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Ушаков  $b Б. В.  $g Борис Всеволодович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070716  $g psbo