Технология получения InGaAs/InP эпитаксиальных гетероструктур для активных элементов интегральных схем: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.27.05 ; 05.27.06) / Кишинев. политехн. ин-т им. С. Лазо
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Снигур, А. П. |
| Опубликовано: | Кишинев , 1991 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||