|
|
|
|
|
00000cam0a22000001ib4500 |
001 |
BY-NLB-rr30995640000 |
005 |
20161013141541.0 |
010 |
# |
# |
$d 1 р. 60 к.
|
021 |
# |
# |
$a RU
$b [86-50451]
|
100 |
# |
# |
$a 20070619d1986 y0rusy50 ||||ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
200 |
1 |
# |
$a Вхождение примесных центров в кристаллический слой полупроводника
$e (Процессы образования монокристал. слоев для микроэлектроники)
$f Т. Д. Смородина, Н. Н. Шефталь, А. П. Цуранов
$g АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе, Ин-т кристаллографии им. А. В. Шубникова
$g Отв. ред. И. А. Смирнов
|
210 |
# |
# |
$a Л.
$c Наука. Ленингр. отд-ние
$d 1986
|
215 |
# |
# |
$a 173 с.
$c ил.
$d 22 см
|
300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 161-171 (180 назв.)
|
345 |
# |
# |
$9 1200 экз.
|
610 |
0 |
# |
$a Полупроводники - Примесные центры
|
610 |
0 |
# |
$a Полупроводники - Кристаллы - Получение
|
675 |
# |
# |
$a 621.315.592.002
|
700 |
# |
1 |
$a Смородина
$b Т. А.
$g Татьяна Александровна
|
701 |
# |
1 |
$a Шефталь
$b Н. Н.
$g Николай Наумович
|
701 |
# |
1 |
$a Цуранов
$b А. П.
$g Александр Павлович
|
801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070619
$g psbo
|