Исследование электрофизических свойств МИП и МИМ структур со сквозными дефектами изолирующих слоев и сколами: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН СССР. Сиб. отд-ние. Ин-т физики полупроводников
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Ройзин, Я. О. |
| Опубликовано: | Новосибирск , 1978 |
| Физические характеристики: |
17 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr29560040000 | ||
| 005 | 20070606193817.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [78-7480а] |
| 100 | # | # | $a 20070606d1978 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование электрофизических свойств МИП и МИМ структур со сквозными дефектами изолирующих слоев и сколами $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук $f АН СССР. Сиб. отд-ние. Ин-т физики полупроводников |
| 210 | # | # | $a Новосибирск $d 1978 |
| 215 | # | # | $a 17 с. |
| 300 | # | # | $a Список лит.: с. 16-17 |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Ройзин $b Я. О. $g Яков Овсеевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070606 $g psbo |