
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов GaTe-Ge(Sn, Bi)Te и Ga₂(In₂)Te₃-Sb₂(Bi₂)Te₃: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Gespeichert in:
Format: | |
---|---|
1. Verfasser: | Рагимов, Ф. Д. |
Veröffentlicht: | Ашхабад , 1983 |
Beschreibung: |
20 с.
|
Sprache: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Verfügbar Bestellen | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|