Кремниевые структуры с тонкой высокоомной базой и создание на их основе диодов с накоплением заряда пикосекундного диапазона: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (01.94.10) / Херсон. индустр. ин-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Продан, Ф. В. |
| Опубликовано: | Херсон , 1992 |
| Физические характеристики: |
15 с.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||