
Образование точечных ассоциированных дефектов в Si<P, O, Cu>, Si<P, O, Ag>, Si<P, O, Au>, Si<B, Fe> при распаде твердых растворов и γ-облучении: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.07)
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Погарский, М. А. |
Опубликовано: | Л. , 1953 |
Физические характеристики: |
12 с.
|
Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|