Пропуск в контексте
Электронный каталог
Национальной библиотеки
Беларуси
Вход
Русский
Белорусский
Английский
Deutsch
Español
Français
中文(繁體)
polski
Язык
Электронный каталог Национальной библиотеки Беларуси находится в тестовом режиме
Перейти в электронную библиотеку
Все поля записи
Заглавие
Автор/Создатель
Предмет
ISBN/ISSN/...
Найти
Расширенный поиск
Глубокие уровни в высокоомном...
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNote
Экспорт в MARC
Экспорт в MARCXML
Экспорт в BibTeX
Добавить в Избранное
Заказать документ через ЭДД
Глубокие уровни в высокоомном P-Ge (Ga) / В. И. Гаврилюк, И. Г. Кирнас, П. Г. Литовченко и др.
Сохранено в:
Шифр документа:
283404,
Вид документа:
Книги
Опубликовано:
Киев
:
Ин-т ядер. исслед. АН УССР
,
1988
Физические характеристики:
22 с.
Язык:
Русский
Серия:
Препр.
КИЯИ-88-39
Предмет:
Германий
Примечания:
На обл. авт. не указаны. - Библиогр.: с. 21-22 (17 назв.)
200 экз.
Местонахождение
BELMARC-запись
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1
Доступно
Заказать
Информация об экземплярах
Шифр
Фонд
Место нахождения
Статус экземпляра
Читальный зал
283404
ОФХ отдела книгохранения (039)
11:3:3:95:11
СВОБОДЕН
Рекомендованный ЧитЗал
Схожие документы
Глубокие уровни в полупроводниках : [сборник статей / под редакцией В. И. Фистуля]. — Ташкент : [б. и.], 1981. — 162 с. — (Сборник научных трудов ; № 664)
Опубликовано: (1981)
Глубокие примесные уровни в широкозонных полупроводниках / АН УзССР. Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева. - Ташкент : Фан, 1971. - 204 с.
Автор: Карагеоргий-Алкалаев, П. М.
Опубликовано: (1971)
Эффект фотоиндуцированного изменения показателя преломления в высокоомном GaAs (Cr): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук: (01.04.10). - Баку, 1980. - 20 с.
Автор: Мамедбейли, И. К.
Опубликовано: (1980)