Влияние глубоких примесных уровней на электрофизические параметры диодов Ганна инжекционно-пролетных диодов и S-фотоприемников инфракрасного диапазона
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Опубликовано: | Ереван |
| Физические характеристики: |
95 с. : черт.
|
| Язык: | Русский |
| Серия: |
Препринт
ИРФЭ № 2 |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||