Разработка малогабаритного датчика давления на основе эпитаксиального n-GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.27.01) / Новосиб. электротехн. ин-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Шурман, Л. Б. |
| Опубликовано: | Новосибирск , 1990 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||