Математическое моделирование нестационарных электронных процессов в вертикальных и пленарных субмикронных полевых транзисторах на основе GaAs: (05.27.01): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Ин-т общ. физики АН СССР
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Хренов, Г. Ю. |
Опубликовано: | М. , 1988 |
Физические характеристики: |
13 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr18002240000 | ||
005 | 20070502155415.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [88-18873а] |
100 | # | # | $a 20070502d1988 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Математическое моделирование нестационарных электронных процессов в вертикальных и пленарных субмикронных полевых транзисторах на основе GaAs $e (05.27.01) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $f Ин-т общ. физики АН СССР |
210 | # | # | $a М. $d 1988 |
215 | # | # | $a 13 с. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 12-13 (8 назв.) |
686 | # | # | $a 05.27.01 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Хренов $b Г. Ю. $g Григорий Юрьевич |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070502 $g psbo |