Выращивание слоев Ge, Si и GaAS методом жидкостной эпитаксии и некоторые их электрофизические свойства: Автореферат дисс., представл. на соискание учен. степени канд. техн. наук / Новосиб. электротехн. ин-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Пак, С. П. |
| Опубликовано: | Новосибирск , 1967 |
| Физические характеристики: |
27 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr17506900000 | ||
| 005 | 20070424174742.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070424d1967 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Выращивание слоев Ge, Si и GaAS методом жидкостной эпитаксии и некоторые их электрофизические свойства $e Автореферат дисс., представл. на соискание учен. степени канд. техн. наук $f Новосиб. электротехн. ин-т |
| 210 | # | # | $a Новосибирск $d 1967 |
| 215 | # | # | $a 27 с. |
| 700 | # | 1 | $a Пак $b С. П. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070424 $g psbo |