Выращивание слоев Ge, Si и GaAS методом жидкостной эпитаксии и некоторые их электрофизические свойства: Автореферат дисс., представл. на соискание учен. степени канд. техн. наук / Новосиб. электротехн. ин-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Пак, С. П. |
| Опубликовано: | Новосибирск , 1967 |
| Физические характеристики: |
27 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||