Исследование GaAs р-п-структур, легированных кремнием, и разработка светоизлучающих приборов на их основе: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук. в форме науч. докл.: (01.04.10) / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева

Сохранено в:
Шифр документа: 64348/88СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Олексив, Е. В.
Опубликовано: Томск , 1988
Физические характеристики: 27 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr17194220000
005 20070423142055.0
100 # # $a 20070423d1988 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Исследование GaAs р-п-структур, легированных кремнием, и разработка светоизлучающих приборов на их основе  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук. в форме науч. докл.  $e (01.04.10)  $f Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева 
210 # # $a Томск  $d 1988 
215 # # $a 27 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 22-25 (25 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Олексив  $b Е. В.  $g Евгений Васильевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070423  $g psbo