Исследование GaAs р-п-структур, легированных кремнием, и разработка светоизлучающих приборов на их основе: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук. в форме науч. докл.: (01.04.10) / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Олексив, Е. В. |
| Опубликовано: | Томск , 1988 |
| Физические характеристики: |
27 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||