Особенности процесса роста полупроводниковых соединений в космических и земных условиях: (На прим. Bi₂(Te, Se)₃ и GaP). Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.01)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Нгуен Тхань Нги |
| Опубликовано: | М. , 1983 |
| Физические характеристики: |
21 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr16592440000 | ||
| 005 | 20070418170122.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070418d1983 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Особенности процесса роста полупроводниковых соединений в космических и земных условиях $e (На прим. Bi₂(Te, Se)₃ и GaP). Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.01) |
| 210 | # | # | $a М. $d 1983 |
| 215 | # | # | $a 21 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: АН СССР, Ин-т косм. исслед. Библиогр.: с. 19-21 (12 назв.) |
| 675 | # | # | $a 537.311.33 |
| 686 | # | # | $a 01.04.01 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Нгуен Тхань Нги |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070418 $g psbo |