Особенности процесса роста полупроводниковых соединений в космических и земных условиях: (На прим. Bi₂(Te, Se)₃ и GaP). Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.01)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Нгуен Тхань Нги |
| Опубликовано: | М. , 1983 |
| Физические характеристики: |
21 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||