Электрофизические и оптические свойства кристаллов GaAs и ZnSnAS₂ сильно компенсированных электронным облучением: (01.04.07): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН УССР. Ин-т физики
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Мелев, В. Г. |
| Опубликовано: | Киев , 1978 |
| Физические характеристики: |
17 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr15551270000 | ||
| 005 | 20070404144753.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [78-5037а] |
| 100 | # | # | $a 20070404d1978 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Электрофизические и оптические свойства кристаллов GaAs и ZnSnAS₂ сильно компенсированных электронным облучением $e (01.04.07) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук $f АН УССР. Ин-т физики |
| 210 | # | # | $a Киев $d 1978 |
| 215 | # | # | $a 17 с. |
| 300 | # | # | $a Список работ авт.: с. 17 (13 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.07 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Мелев $b В. Г. $g Валерий Георгиевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070404 $g psbo |